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    3次元 トライゲート トランジスタ



    米Intelは、22nm世代のプロセッサで世界初となる
    3次元型トライゲートトランジスタを採用したモデルを
    2011年末より製造開始すると発表しました。

    今後は家電向け、タブレット向け、そしてスマートフォン向けの
    Atom系列でも22ナノメートルプロセスルールの採用を目指して
    開発を進めているそうです。

    PC Watchより
    トライゲートトランジスタは、電流が流れるチャネルが
    従来までの平面(2次元)ではなく、薄くて高さのある
    フィン構造(3次元)となっており、その上面だけでなく
    両側面にも電流を流すことができるそうです。

    011年末より量産開始予定となっている22nmプロセスの
    プロセッサである「Ivy Bridge」で採用されることが決定。
    世界初の3次元トランジスタの量産になります。

    この3次元トライゲートトランジスタは、フィン構造にすることで、
    チャネルの幅を狭め、トランジスタの集積度を上げられるだけでなく、
    より多くの電流を流せるとともに、その制御効率も上げられるため、
    オフ時の電流あるいは閾電圧が低い、およびゲート遅延が短いといった
    特性がある。

    同社の示す資料によると、22nm3次元トライゲートトランジスタは、
    現行の32nmプレーナ(2次元)トランジスタより37%性能を高められ(低電圧時)、
    同じ性能なら動作電力を半分以下に抑えられ、漏れ電流も1/10に低減できるといい、
    過去のどのプロセス投入時よりも高いレベルの改善をもたらすことができるとしている。

    同社はその製造技術をすでに確立しており、22nm 3次元トライゲートトランジスタに
    おけるウェハの製造コストは2~3%増で済むほか、安定した歩留まりも実現できるとしている。

    すでに同社はIvy Bridgeの試作品も開発しており、現地で行なわれた発表会では
    その実演デモも披露されました。

    同プロセス技術は、クライアントからサーバー向けプロセッサだけでなく、
    先だってプロセス縮小計画の前倒しが発表されたAtomにも適用されるそうです。

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    [ 2011年05月05日 19:21 ] カテゴリ:工学 | TB(0) | CM(0)
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